[发明专利]基于结构相似性度量的多晶硅电池片裂纹缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201910737874.8 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110619146B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘卫朋;韩达;赵慧芳;黄迪;陈海永 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06T7/00;G06T5/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 张国荣 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开基于结构相似性度量的多晶硅电池片裂纹缺陷检测方法，该方法包括如下步骤：步骤1，结构相似性度量函数设计；步骤2，预处理待检测图像；步骤3，裂纹缺陷提取和定位。与现有技术相比，本发明的检测方法能够增强裂纹缺陷，抑制晶粒，从而提高裂纹缺陷和EL图像背景的对比度，获取一致均匀的背景，实现非均匀纹理背景下裂纹缺陷检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 结构 相似性 度量 多晶 电池 裂纹 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.基于结构相似性度量的多晶硅电池片裂纹缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，结构相似性度量函数设计/n根据多晶硅电池片EL图像的结构特征设计基于Hessian矩阵的增强滤波函数即结构相似度量函数来增强裂纹缺陷，同时抑制随机晶粒伪缺陷和背景信息，获取一致均匀的背景，具体过程如下：/n1-1：结构建模：利用直线和斑点分别表示线状的裂纹缺陷结构和块状的晶粒结构特征，得到直线l(x,y)和斑点b(x,y)的函数表达式为：/n
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