[发明专利]CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中的复合薄膜电极制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201910738077.1 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110634688A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘瑜;辛娜 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于复合电极材料制备技术领域，涉及一种CoZn‑S纳米颗粒穿插在石墨烯中（rGO @ CoZn‑S）的复合薄膜电极制备方法及其应用于超级电容器。本发明首先配制Co(NO | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 超声分散 复合薄膜 纳米颗粒 悬浊液 表面原位生长 复合薄膜电极 复合电极材料 制备技术领域 导电性 超级电容器 硫代乙酰胺 石墨烯溶液 柔韧性 粘合剂 浸入 电极材料 甲基咪唑 溶液混合 无水乙醇 真空抽滤 导电剂 反应釜 夹心状 体积比 基底 可用 量取 洗净 制备 穿插 配制 冷却 取出 应用 | ||
【主权项】：
1.一种CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中的复合薄膜电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、分别配制摩尔浓度为0.05mol/L的Co(NO
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