[发明专利]一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端在审
申请号: | 201910738337.5 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN112394805A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 杨凯 | 申请(专利权)人: | 福州瑞芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/3234 | 分类号: | G06F1/3234;G11C5/14 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 柯玉珊 |
地址: | 350000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端,确定对所述DRAM进行数据访问的应用类型;根据所述应用类型配置对应的低功耗模式的控制策略;能够根据不同应用类型的不同访问类型配置对应的低功耗模式的控制策略,针对不同应用类型的数据访问特点配置相适配的低功耗模式的控制策略,使得针对不同应用类型的数据访问,DRAM都有对应的更优的功耗效果和性能效果,从而实现整体更好的功耗和性能效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 dram 功耗 模式 实现 方法 终端 | ||
【主权项】:
暂无信息
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