[发明专利]使用至少两个掩模的阶梯形成在审
| 申请号： | 201910738377.X | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110571221A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 何昌万;格雷厄姆·R·沃斯滕霍姆;迪帕克·蒂梅高达 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/1157;H01L27/11575 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及使用至少两个掩模的阶梯形成。一种实例性方法可包含：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域。从所述第二经暴露区域移除导电材料。所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露区域 掩模 导电材料 界定 阶梯结构 移除 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：/n堆叠结构，其包括：/n导电材料；/n绝缘材料，其与所述导电材料垂直交替；/n外部列，其包括所述导电材料及所述绝缘材料的部分，所述外部列在其末端处无阶梯结构；及/n内部列，其在所述外部列之间且包括所述导电材料及所述绝缘材料的额外部分，所述内部列在其末端处呈现阶梯结构；及/n垂直存储器单元串，其在所述堆叠结构内且电耦合至其所述导电材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
