[发明专利]高功率密度GaN全桥LLC电源模块有效

专利信息
申请号: 201910739189.9 申请日: 2019-08-12
公开(公告)号: CN110365217B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 许媛;陈珍海;张燕飞;赵琳娜;鲍婕;宁仁霞;占林松;黄伟 申请(专利权)人: 黄山学院
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M7/219;H02M1/42;B60L53/22
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 245041 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高功率密度GaN全桥LLC电源模块,包括依次连接的输入整流模块、GaN功率因数校正模块和GaN全桥LLC变换器模块;所述GaN功率因数校正模块将输入整流模块得到的输入高压直流母线DC的输入进行功率因数校正,得到功率因数校正后的高压母线Vbus和低压母线Vgnd;GaN全桥LLC变换器模块对所述高压母线Vbus和低压母线Vgnd的输出进行DC/DC变换,采用输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout‑进行输出。本发明为提高全桥LLC电源模块的开关频率,采用LGA封装的GaN器件进行开关变换;为提高可靠性,采用双面布局结构对栅驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化,保证GaN器件工作在安全区域状态,从而实现高密度功率集成和高效率,相关技术可以广泛应用于高密度AC/DC电源模块中。
搜索关键词: 功率密度 gan llc 电源模块
【主权项】:
1.高功率密度GaN全桥LLC电源模块,其特征是,包括:依次连接的输入整流模块、GaN功率因数校正模块和GaN全桥LLC变换器模块;所述GaN功率因数校正模块将输入整流模块得到的输入高压直流母线DC的输入进行功率因数校正,得到功率因数校正后的高压母线Vbus和低压母线Vgnd;GaN全桥LLC变换器模块对所述高压母线Vbus和低压母线Vgnd的输出进行DC/DC变换,采用输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout‑进行输出;所述GaN功率因数校正模块包括:PFC控制器(U1)的第一脉宽信号PWH输出端连接到第一栅驱动电路(H)的输入端,PFC控制器(U1)的第二脉宽信号PWL输出端连接到第二栅驱动电路(L)的输入端;第一栅驱动电路(H)的输出端连接到限流电阻RH的左端,限流电阻RH的右端连接到GaN功率开关MH的栅端,第二栅驱动电路(L)的输出端连接到限流电阻RL的左端,限流电阻RL的右端连接到GaN功率开关ML的栅端;GaN功率开关MH的源端连接电感L1的右端VH和输出二极管D1的阳极,GaN功率开关MH的漏端同时也是低压母线Vgnd和GaN功率开关ML的漏端,还连接到第一检测电路(U2)的第一输入端口和输出电容C1的下端;GaN功率开关ML的源端连接到电感L2的右端VL和输出二极管D2的阳极;输出二极管D1阴极和输出二极管D2阴极连接到高压母线端Vbus、第一检测电路(U2)的第二输入端口以及输出电容C1的上端;输入高压直流母线DC连接到电感L1和电感L2的左端;第一检测电路(U2)输出的对GaN功率因数校正模块的电压检测信号、电流检测信号和温度检测信号分别连接到第一反馈电路(U3)的输入端;第一反馈电路(U3)将GaN功率因数校正模块的电压检测信号、电流检测信号和温度检测信号分别处理为反馈信号,输出给PFC控制器(U1);所述GaN全桥LLC变换器模块包括:PWM控制器(U4)的第三脉宽信号PWH1输出端连接到第三栅驱动电路(H1)的输入端,PWM控制器(U4)的第四脉宽信号PWL1输出端连接到第四栅驱动电路(L1)的输入端;第三栅驱动电路(H1)的输出端连接到限流电阻RH1的左端,限流电阻RH1的右端连接到GaN功率开关MHo的栅端,第四栅驱动电路(L1)的输出端连接到限流电阻RL1的左端,限流电阻RL1的右端连接到GaN功率开关MLo的栅端;GaN功率开关MHo的源端连接到高压母线Vbus,GaN功率开关MHo的漏端为第一半桥输出(FB1),第一半桥输出(FB1)连接到GaN功率开关MLo的漏端和谐振电容Cr的左端,谐振电容Cr的右端连接谐振电感Lr的左端,谐振电感Lr的右端连接变压器T输入高压端,GaN功率开关MLo的源端连接到低压母线Vgnd;PWM控制器(U4)的第五脉宽信号PWH2输出端连接到第五栅驱动电路(H2)的输入端,PWM控制器(U4)的第六脉宽信号PWL2输出端连接到第六栅驱动电路(L2)的输入端;第五栅驱动电路(H2)的输出端连接到限流电阻RH2的左端,限流电阻RH2的右端连接到GaN功率开关MHc的栅端,第六栅驱动电路(L2)的输出端连接到限流电阻RL2的左端,限流电阻RL2的右端连接到GaN功率开关MLc的栅端;GaN功率开关MHc的源端连接到高压母线Vbus,GaN功率开关MHc的漏端为第二半桥输出(FB2),第二半桥输出(FB2)连接GaN功率开关MLc的漏端以及变压器T输入低压端;GaN功率开关MLc的源端连接到低压母线Vgnd;变压器T的第一输出端与输出二极管D3的阳极以及输出二极管D32的阴极相连,变压器T的第四输出端与输出二极管D4的阳极以及输出二极管D42的阴极相连,变压器T的第二和第三输出端同时连接到输出电容Co的下端、第二检测电路(U5)的第一输入端口和输出低压母线Vout‑端;输出二极管D3的阴极和输出二极管D4的阴极相连,并连接到输出电容Co的上端和输出电感Lo的左端;输出电感Lo的右端连接第二检测电路(U5)的第二输入端口和输出高压母线端Vout+;输出二极管D32的阳极和输出二极管D42的阳极相连并连接到输出电容Co的下端;第二检测电路(U5)输出的对GaN全桥LLC变换器模块的电压检测信号、电流检测信号和温度检测信号分别连接到第二反馈电路(U6)的输入端;第二反馈电路(U6)将GaN全桥LLC变换器模块的电压检测信号、电流检测信号和温度检测信号分别处理为反馈信号,输出给PWM控制器(U4)。
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