[发明专利]一种基于石墨烯和超表面结构的耦合装置及制备方法有效
申请号: | 201910741582.1 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110596791B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;王磊;冯朋;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02B6/12 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 邱云雷 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种耦合装置及方法,包括衬底、绝缘层、第一超表面结构、第二超表面结构和第三超表面结构、石墨烯层,第一超表面结构、第二超表面结构、第三超表面结构分别包括沿X方向周期性布置的第一单元、第二单元、第三单元;耦合装置的几何参数包括第一超表面结构、第二超表面结构、第三超表面结构各自的折射率、周期和厚度;几何参数被配置为入射光射向石墨烯层时,第三超表面结构和第一超表面结构分别将入射光透射和反射至第二超表面结构,使入射光在第二超表面结构内传播,入射光入射方向和入射光在第二超表面结构内的传播方向所在平面与XOY面垂直,入射方向与传播方向夹角为钝角。本发明具有大带宽、耦合效率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 表面 结构 耦合 装置 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于石墨烯和超表面结构的耦合装置,其特征在于,其包括:/n衬底(1),其长度、宽度、高度方向分别定义为X、Y、Z方向;/n形成于所述衬底(1)上的绝缘层(2);/n位于所述绝缘层(2)内且自下而上布置的第一超表面结构(3)、第二超表面结构(4)和第三超表面结构(5),所述第一超表面结构(3)包括沿X方向周期性间隔布置的第一单元(30),所述第二超表面结构(4)包括沿X方向周期性间隔布置的第二单元(40),所述第三超表面结构(5)包括沿X方向周期性间隔布置的第三单元(50);/n形成于所述绝缘层(2)上表面的石墨烯层(6);同时,/n所述耦合装置的几何参数包括第一超表面结构(3)的折射率、周期和厚度,第二超表面结构(4)的折射率、周期和厚度,以及第三超表面结构(5)的折射率、周期和厚度;/n所述几何参数被配置为:当入射光射向所述石墨烯层(6)时,所述第三超表面结构(5)将入射光透射至所述第二超表面结构(4),所述第一超表面结构(3)将入射光反射至所述第二超表面结构(4),并使得入射光在所述第二超表面结构(4)内传播,入射光的入射方向和入射光在所述第二超表面结构(4)内的传播方向所在平面与XOY平面垂直,且所述入射方向与所述传播方向夹角为钝角。/n
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