[发明专利]一种基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器及制备方法有效
| 申请号： | 201910742456.8 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110429156B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨奇龙;马晓燠;饶学军;汪韬;盛良睿 | 申请（专利权）人： | 重庆连芯光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/028;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 400021 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于分形纳米线表面结构的Si‑APD光电探测器及制备方法，包括：分形纳米线表面结构进光层P+区，位于分形纳米线表面结构进光层P+区下方的本征吸收层π区、位于本征吸收层π区下方的雪崩倍增层P区、位于雪崩倍增层P区下方的电极接触层N+区、位于本征吸收层π区两侧下方的保护环即N区、设置在分形纳米线表面结构进光层P+区上表面的上端电极以及电极接触层N+区和N区下表面的下端电极；所述分形纳米线表面结构进光层P+区具有以随机分形分布的垂直硅纳米线的表面结构。本发明解决了传统Si‑APD光电探测器响应度较低、近红外波段几乎无响应等问题，可增强可见光探测量子效率，使响应波段扩展到近红外波段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 表面 结构 si apd 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于分形纳米线表面结构的Si‑APD光电探测器，其特征在于，包括：分形纳米线表面结构进光层P+区，位于分形纳米线表面结构进光层P+区下方的本征吸收层π区、位于本征吸收层π区下方的雪崩倍增层P区、位于雪崩倍增层P区下方的电极接触层N+区、位于本征吸收层π区两侧下方的保护环即N区、设置在分形纳米线表面结构进光层P+区上表面的上端电极以及电极接触层N+区下表面的下端电极；所述分形纳米线表面结构进光层P+区具有以随机分形分布的垂直硅纳米线的表面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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