[发明专利]端面耦合器及其制作方法、端面耦合方法有效
申请号: | 201910742763.6 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN112394446B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 孙天玉;王筱;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;阳志全 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种端面耦合器及其制作方法,该制作方法包括:提供一光子芯片,在光子芯片的耦合端的上表面具有波导;在耦合端的上表面形成一层覆盖波导并与波导键合的衬底;在衬底表面涂布一层光刻胶层;通过分步曝光和显影,将光刻胶层制作成楔形结构,楔形结构的正投影至少与波导部分重叠,且越远离波导的端面,楔形结构的截面积越大;通过对衬底进行刻蚀,以在衬底上形成与楔形结构对应的模斑转换器。由于模斑转换器的制作是在光子芯片的波导完成后进行,因此属于后道工艺;通过采用分步曝光的方法制作,端面耦合器制作过程更快速;通过采用带槽的光纤固定块来实现模斑转换器与光纤的辅助对准和粘接,可以很好地保证光斑转换过程的高效可靠。 | ||
搜索关键词: | 端面 耦合器 及其 制作方法 耦合 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910742763.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。