[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法在审
| 申请号： | 201910742905.9 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110501871A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F7/20 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌；步骤四、进行后烘。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻图形 掩模版 侧壁形貌 掩模版图形 图形结构 侧面 逐渐变化 曝光光 侧壁 掩模版设计 光刻工艺 曝光过程 曝光 光刻胶 后烘 基底 显影 | ||
【主权项】：
1.一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、进行掩模版设计，在所述掩模版上形成有掩模版图形，所述掩模版图形用于定义光刻图形；/n所述光刻图形具有侧壁，在所述掩模版图形上设置有定义所述光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，所述掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域所述光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域所述光刻图形的侧壁的高度高；/n步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；/n步骤三、采用所述掩模版对所述光刻胶进行曝光，之后对所述光刻胶进行显影形成所述光刻图形，在曝光过程中，所述掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义所述光刻图形的侧壁形貌；/n步骤四、对所述光刻胶进行后烘。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910742905.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光学邻近效应修正方法
- 下一篇：用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
