[发明专利]刻蚀设备腔体清洁方法及其清洁系统在审
| 申请号： | 201910742968.4 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110491757A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张钱;江旻;董海平 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 焦天雷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体，清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法，包括:采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积，使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜，并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质；采用清洁气体清除所述清洁薄膜。本发明还公开了一种用于清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁系统。本发明的清洁方法和清洁系统能清除刻蚀设备腔体内残留杂质(聚合物或污染颗粒)，能提高刻蚀设备腔体高清洁效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀设备 清洁薄膜 体内 腔体 半导体生产工艺 腔体内表面 清洁系统 残留 沉积气体 刻蚀工艺 清洁气体 清洁效率 清洁杂质 污染颗粒 硬质掩模 聚合物 清洁 腔体高 淀积 黏附 金属 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀设备腔体清洁方法，用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体腔体，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积，使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜，并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质；/nS2，采用清洁气体清除所述清洁薄膜。/n
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