[发明专利]光刻胶及光刻方法有效
申请号: | 201910743009.4 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110501873B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 袁华;黄永发;杨尚勇;胡展源 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;H01L21/027 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种光刻胶和光刻方法,属于半导体制造技术领域。所述光刻胶包括:化学放大胶,该化学放大胶包括聚合树脂和光致产酸剂;碱性添加剂,在被光照后,该碱性添加剂的酸碱度由碱性转变至酸性。本申请通过在包含光学放大胶的光刻胶中添加碱性添加剂,在将该光刻胶应用于光刻工艺时,光刻胶中的光致消碱剂在曝光区域碱性消失,不影响光酸化学放大,保留非曝光区域的碱性,淬灭非曝光区域产生的微量酸分子,使得曝光区域和非曝光区域酸分子浓度差异增大,提高了曝光区域与非曝光区域的对比度,从而能够优化光刻图形的形貌,增大光刻的工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 光刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻胶,其特征在于,所述光刻胶应用于制备半导体器件的光刻工艺中,所述光刻胶包括:/n化学放大胶,所述化学放大胶包括聚合树脂和光致产酸剂;/n碱性添加剂,在被光照后,所述碱性添加剂的酸碱度由碱性转变至酸性。/n
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