[发明专利]具有低Rsp*Qg乘积的横向扩散MOSFET在审
| 申请号： | 201910743200.9 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110896100A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | D.斯奈德 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳亚洲有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种改进的横向扩散MOSFET(LDMOS)装置实现独立于其它装置参数调节一些装置参数的能力和/或提供具有显著地改进装置性能的部件尺寸的装置架构。所述LDMOS装置包括阶梯状栅极，所述阶梯状栅极具有：在主体区上方的具有薄栅极绝缘体的第一部分；以及在漂移区的部分上方的具有厚栅极绝缘体的第二部分。在一些实施方案中，栅极屏蔽件设置在所述漂移区的另一部分上方以减小所述LDMOS装置的栅极‑漏极电容。在一些实施方案中，所述LDMOS装置具有约5至8mOhm*mm |
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| 搜索关键词： | 具有 rsp qg 乘积 横向 扩散 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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