[发明专利]一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法在审
| 申请号： | 201910743213.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110514872A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 翟俊杰;李忠文;南峰;袁玮;周鸿富;孙大钞 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | G01Q60/02 | 分类号： | G01Q60/02;B82Y30/00;B82Y35/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张华蒙<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 223100 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法，属于纳米铁电材料制备和微纳表征技术领域，通过离子束刻蚀铁电薄膜获得高密度纳米点阵列；借助于矢量压电力显微术表征获得铁电拓扑畴的畴结构；使用导电原子力显微镜观测到纳米点中的导电通道，二维电流图像表明单个纳米点中的导电区域为几十纳米，这些导电通道具有类似于金属导电的特性；联合压电力显微镜和导电原子力显微镜获得极化对导电性的调控；可用于开发非易失性的、高密度的铁电随机存取存储器；纳米点的中心型畴结构为研究铁电拓扑畴及拓扑材料提供方案；同时，纳米点的导电性可以通过极化翻转进行调控，提供的表征方法可以将这种调控可视化，提升数据的直观性、可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米点 导电性 拓扑 导电原子力显微镜 调控 导电通道 畴结构 点阵列 铁电 铁电随机存取存储器 压电力显微镜 高密度纳米 离子束刻蚀 表征技术 材料提供 材料制备 导电区域 电流图像 非易失性 极化翻转 纳米铁电 铁电薄膜 铁电纳米 矢量 可视化 显微术 直观性 极化 导电 二维 可用 观测 金属 联合 开发 研究 | ||
【主权项】：
1.一种铁电纳米点阵列中导电性调控的表征方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1：使用离子束刻蚀方法刻蚀BFO薄膜，获得高密度BFO铁电纳米点阵列；/nS2：采用压电力显微镜PFM表征方法对高密度BFO铁电纳米点阵列表征，获得初始状态下纳米点的畴结构；/nS3：采用导电原子力显微镜CAFM表征方法对高密度BFO铁电纳米点阵列表征，获得初始状态下纳米点的导电特性；/nS4：联合压电力显微镜PFM表征方法与导电原子力显微镜CAFM表征方法对高密度BFO铁电纳米点阵列进行表征，获得纳米点阵列的极化翻转前后的导电性特征，将极化对导电性的调控可视化。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮阴工学院，未经淮阴工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910743213.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
