[发明专利]基于CMOS工艺的低压运算放大器降低THD的输出级电路有效
| 申请号： | 201910743261.5 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112398447B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 孙德臣 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/68 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于CMOS工艺的低压运算放大器降低THD的输出级电路，通过在反馈式AB类输出级结构的基础上引入第一运算放大器和第二运算放大器的组合以降低整个电路所需要的电压余度，并引入第三运算放大器和第四运算放大器的组合以使得低压运放输出级的电流得到有效控制，使得输出级在输出变化剧烈时也能使增益不变，这使得整个运放的非线性失真得到了有效的改善，从而降低总谐波失真THD。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 低压 运算放大器 降低 thd 输出 电路 | ||
【主权项】：
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