[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910743284.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828428A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 文孝植;姜相列;金恩善;朴瑛琳;郑圭镐;曹圭镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种半导体器件包括：衬底上的下电极；电介质层结构，在下电极上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；模板层，在电介质层结构上并且包括铌氧化物(NbO |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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