[发明专利]一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器在审
| 申请号： | 201910744038.2 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110440923A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J4/04 | 分类号： | G01J4/04;G01J1/42;G01J9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器,包括基底层,所述基底层的上方设置有第一电极、第二电极；所述第一电极与第二电极相互间隔；所述第一电极与第二电极的上方设置有二碲化钼纳米片层；所述二碲化钼纳米片层的上方设置有手性孔洞阵列，该基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器，检测二碲化钼纳米片层对光的透射的变化，从而在二碲化钼纳米片层与电极之间形成不同的光生电流，通过检测光生电流的特性，从而判断圆偏振光的偏振态，该基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器不仅结构简单，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化 圆偏振光 检测器 孔洞结构 钼纳米 片层 第二电极 第一电极 光生电流 基底层 孔洞阵列 偏振态 电极 检测 透射 手性 | ||
【主权项】：
1.一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器,其特征在于：包括基底层（1）,所述基底层（1）的上方设置有第一电极（2）、第二电极（3）；所述第一电极（2）与第二电极（3）相互间隔；所述第一电极（2）与第二电极（3）的上方设置有二碲化钼纳米片层（4）；所述二碲化钼纳米片层（4）的上方设置有手性孔洞阵列（5）。
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