[发明专利]一种碳化钼纳米材料的合成方法有效

专利信息
申请号: 201910745218.2 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN110422846B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 高波;何梦慈 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01B32/949 分类号: C01B32/949;B82Y40/00;D06M11/74;D06M101/40
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种碳化钼纳米材料的合成方法,涉及一种碳化物的合成方法。是要解决现有的制备方法得到的碳化钼纳米材料催化效率低,方法安全性差的问题。方法:一、对碳布进行清洗;将三氧化钼粉末放入石英舟中,并将粉末均匀铺开,将碳布放置在三氧化钼粉末上方;二、将放置有碳布和三氧化钼粉末的石英舟放入化学气相沉积装置的石英管中,通入惰性气体,流速降低,行加热,保温,然后关闭加热系统,并提高惰性气体的流速,自然冷却至室温,取出表面生长有碳化钼纳米结构的碳布,即完成。本发明得到的在碳布上生长的碳化钼纳米结构本身为多孔结构,并且均匀覆盖整个碳布表面,具有很大的比表面积,有良好的催化析氢性能。本发明用于制备碳化钼纳米材料。
搜索关键词: 一种 碳化 纳米 材料 合成 方法
【主权项】:
1.一种碳化钼纳米材料的合成方法,其特征在于该方法包括以下步骤:一、准备:依次利用丙酮、无水乙醇和去离子水对碳布进行超声清洗,得到干净的碳布;将三氧化钼粉末放入石英舟中,并将粉末均匀铺开,每平方厘米放置三氧化钼粉末10~15mg,将干净的碳布放置在三氧化钼粉末上方;二、生长碳化钼纳米结构:将放置有碳布和三氧化钼粉末的石英舟放入化学气相沉积装置的石英管中,通入惰性气体持续5~10分钟,之后将惰性气体的流速降低,并同时启动加热系统进行加热,将温度从室温升温至800~900℃,并在温度为800℃~900℃下维持10min~20min,然后关闭加热系统,并提高惰性气体的流速,自然冷却至室温,取出表面生长有碳化钼纳米结构的碳布,即完成。
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