[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 201910745412.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110620175A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉晔;俞文杰;刘强 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 32331 苏州国卓知识产权代理有限公司 | 代理人： | 明志会 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁存储器领域，尤其涉及一种磁存储器件，包括固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；还包括非磁性层，所述非磁性层位于所述自由层上，所述非磁性层与所述自由层材料不相同。本发明能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流，减小磁存储器件体积。 | ||
| 搜索关键词： | 自由层 非磁性层 磁存储器件 通道隔离 固定层 自由层磁化方向 磁存储器 临界电流 减小 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，包括/n固定层、通道隔离层、自由层；/n所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；/n其特征在于，/n还包括非磁性层，所述非磁性层位于所述自由层上，所述非磁性层与所述自由层材料不相同。/n
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