[发明专利]具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910746035.2 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110581170A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王洪;陈竟雄;刘晓艺 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/49;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有Г型栅的GaN基MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层等结构，所述器件还包括一Г型栅电极，所述Г型栅电极包括栅帽和栅脚，栅脚的一端和栅帽的部分下表面连接，另一端和第二开口处部分暴露的栅介质层上表面连接，栅帽的其余下表面和钝化层上表面连接。本发明利用G线、I线光刻包括接触式光刻和步进式光刻与金属剥离工艺或金属刻蚀工艺结合，通过在钝化层开口处通过对准的方式，使一部分的栅极金属与栅介质层接触，另一部分与钝化层接触，使栅足线宽在光刻的极限线宽下大大减小；所述Г栅结构，引入了场板，场板调制了栅靠漏侧导电沟道的电场强度分布，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 光刻 栅帽 栅介质层 开口处 上表面 下表面 栅电极 栅脚 电场强度分布 金属刻蚀工艺 接触式光刻 异质结外延 导电沟道 击穿电压 金属剥离 栅极金属 步进式 极限线 栅结构 场板 减小 线宽 栅足 制备 调制 对准 引入 暴露 | ||
【主权项】：
1.具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件，其特征在于，包括AlGaN/GaN异质结外延层，所述AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上部分为有源区，有源区上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极上和有源区上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次覆盖有栅介质层和钝化层，栅介质层和钝化层在源漏电极的上表面均设有第一开口，分别暴露出源漏电极的部分上表面，钝化层在源漏电极之间的栅介质层上设有第二开口，暴露出栅介质层上表面，第二开口处还连接Г型栅电极，所述Г型栅电极包括栅帽和栅脚，Г型的竖边部分为栅脚，横边部分为栅帽，栅脚的一端和栅帽的部分下表面连接，另一端和第二开口处部分暴露的栅介质层上表面连接，栅帽的其余下表面和钝化层上表面连接。/n
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