[发明专利]一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910746696.5 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110444640A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张士英;徐庆君 | 申请（专利权）人： | 张士英 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277100 山东省枣庄市市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构及其制备方法。利用高温氨气退火形成的自组织Ni纳米岛作为模板来制备高度一致性的GaN纳米棒，然后使用湿法腐蚀技术，修复纳米棒表面的干法刻蚀损伤，在所得的GaN纳米棒阵列上进行n型GaN再生长，形成具有顶部锥的六面柱，然后依次层叠包覆在GaN纳米棒阵列每个表面上的多量子阱层和P型GaN层，获得多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构。GaN纳米棒阵列与包覆其每个表面的多量子阱层、P型GaN层构成三维核壳结构，在相同的电流密度下可以产生更多的光子数，提高了LED外延结构的内量子效率。本发明的方法无需图形化的衬底，工艺成本低，简单易行，适合规模化制，所得核壳纳米棒阵列可广泛应用于光电子器件和微电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 核壳纳米棒 纳米棒阵列 多波长 制备 多量子阱层 纳米棒 包覆 退火 高度一致性 光电子器件 内量子效率 微电子器件 干法刻蚀 高温氨气 工艺成本 核壳结构 湿法腐蚀 依次层叠 光子数 规模化 纳米岛 图形化 再生长 自组织 衬底 六面 三维 损伤 修复 应用 | ||
【主权项】：
1.一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构，其特征在于：包括沉积Ni层和高温氨气退火形成Ni纳米岛；还包括利用Ni纳米岛掩膜来制备高度一致的GaN纳米柱，及利用湿法腐蚀修复纳米棒表面的干法刻蚀损伤，在所得的GaN纳米棒阵列上进行n型GaN再生长，形成具有顶部六棱锥的六面柱，然后依次层叠包覆在GaN纳米棒阵列的多量子阱层和P型GaN层。
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