[发明专利]采用双S-PIN固态等离子体结构的缝隙天线有效
| 申请号： | 201910748369.3 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110518360B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘少斌;徐岩;周永刚;陈鑫 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10;H01Q1/48;H01Q3/00;H01Q5/20;H01Q5/307 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双S‑PIN固态等离子体结构及采用该结构的缝隙天线，包括自下而上依次设置的衬底基板、绝缘层和固态等离子体区，该固态等离子体区包括由重掺杂P+区、重掺杂N+区和本征层I区构成的2个相互对称的PIN结构，每一重掺杂P+区上方铺设有一正极金属电极，每一重掺杂N+区上方铺设有一负极金属电极。本发明中两个重掺杂N+区位于重掺杂P+区两侧，减少了重掺杂P+区的数量，扩大了本征层I区的长度，同时正极金属电极的数量也相应减少，简化了馈电网络。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 pin 固态 等离子体 结构 缝隙 天线 | ||
【主权项】：
1.一种双S-PIN固态等离子体结构，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底基板(1)、绝缘层(2)和固态等离子体区，该固态等离子体区包括由重掺杂P+区(3)、重掺杂N+区(4)和本征层I区(5)构成的2个相互对称的PIN结构，每一重掺杂P+区(3)上方铺设有一正极金属电极(6)，每一重掺杂N+区(4)上方铺设有一负极金属电极(7)。/n
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