[发明专利]一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管在审
| 申请号： | 201910749636.9 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110544722A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;智常乐;张一攀;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/167 |
| 代理公司： | 61211 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡乐<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓LDMOS的一致，器件的栅极，基区和源极接地，漏极接高电位；工作在开态时，寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道，沟道同样能正常开启进行导电。该结构采用栅极与基区相连的电极连接方式，与采用传统的氮化镓LDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，极大改善氮化镓晶体管的导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 基区 电极连接方式 传统的 横向双扩散金属氧化物半导体 电位 氮化镓晶体管 双极型晶体管 导电通道 导通电流 导通性能 击穿电压 源极接地 栅极相连 场效应 晶体管 导电 短接 沟道 关态 接高 开态 漏极 耐压 双极 源极 复合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：/n硅材料的衬底；/n在所述衬底上生成氮化镓材料的外延层；/n在所述外延层上形成的基区和漂移区；/n在所述基区上部中间区域形成的源区以及相应的沟道；/n在所述漂移区上远离基区一端形成的漏区；/n栅绝缘层，覆盖所述沟道以及漂移区邻接沟道的部分；/n栅极，位于沟道上方的栅绝缘层表面；/n基极，位于远离沟道一端的基区表面；/n源极，位于源区表面；/n漏极，位于漏区表面；/n所述基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。/n
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