[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910750640.7 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112397443B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张田田 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 518118 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有源漏掺杂区，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有露出源漏掺杂区的接触孔；在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属层；在所述金属层上形成填充所述接触孔的导电层；进行第一退火处理，使所述金属层以及部分厚度的所述源漏掺杂区和导电层转化为硅化物层，位于所述接触孔内的剩余所述导电层作为接触孔插塞。本发明实施例中所述接触孔插塞能够与所述硅化物层直接接触，从而有利于提高所述接触孔插塞和源漏掺杂区之间的接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
