[发明专利]一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201910751132.0 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110571328A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;彭伟;于仕辉;杨盼 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器及制备方法。一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器，包括Pt/TiO | ||
| 搜索关键词： | 电阻开关 制备 存储器 衬底 双极 薄膜 氧化镍薄膜 磁控溅射 电子器件 陶瓷靶材 低成本 顶电极 后退火 开关比 热蒸镀 靶材 沉积 清洗 存储 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器，包括衬底、阻变介质层及电极；其特征在于，所述衬底(1)为Pt/TiO
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