[发明专利]一种离子掺杂的宽禁带半导体忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910751262.4 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110556474B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 薛堪豪;李立恒;李祎;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子掺杂的宽禁带半导体忆阻器及其制备方法，忆阻器由上电极、势垒调制层、离子掺杂层及下电极构成，势垒调制层采用宽禁带半导体，离子掺杂层为包含碱金属或碱土金属离子的功能层，忆阻器通过调控离子掺杂层中碱金属或碱土金属离子迁移至势垒调制层的浓度，改变上电极与势垒调制层之间的肖特基势垒，实现低能耗、大范围的阻值连续调节。其本质是一种具有界面势垒调节机制的多值存储忆阻器，工作原理为：离子迁移入该层，在宽禁带半导体中引入杂质能级，降低界面的肖特基势垒和宽禁带半导体电阻率，实现忆阻器件的阻值变化；通过控制迁移至势垒调制层中的离子浓度，调节肖特基势垒逐渐变化，使器件展现出阻值连续线型变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 掺杂 宽禁带 半导体 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子掺杂的宽禁带半导体忆阻器，其特征在于，所述忆阻器由上电极、势垒调制层、离子掺杂层及下电极构成，所述势垒调制层采用宽禁带半导体，所述离子掺杂层为包含碱金属或碱土金属离子的功能层，所述忆阻器通过调控所述离子掺杂层中碱金属或碱土金属离子迁移至所述势垒调制层的浓度，改变所述上电极与所述势垒调制层之间的肖特基势垒，实现低能耗、大范围的阻值连续调节。/n
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