[发明专利]一种Micro-LED阵列及其制备方法

摘要

本发明公开一种Micro‑LED阵列及其制备方法，涉及LED封装领域，主要包括硅基板、金属基板以及位于硅基板、金属基板之间的多个相同的发光芯片；发光芯片由下向上依次设置金属触点、p型氮化镓层、多量子阱层和n型氮化镓层；硅基板上设置有布线，金属触点通过布线与硅基板电气互联，金属基板设置在n型氮化镓层上；金属触点作为发光芯片的p电极；金属基板作为发光芯片的n电极；当硅基板通电后，电流从金属触点流向金属基板，实现Micro‑LED阵列的发光。本发明公开的Micro‑LED阵列及其制备方法，能够实现Micro‑LED阵列的无金线封装。

主权项

1.一种Micro‑LED阵列，其特征在于，包括硅基板、金属基板以及位于所述硅基板、所述金属基板之间的多个相同的发光芯片；所述发光芯片由下向上依次设置金属触点、p型氮化镓层、多量子阱层和n型氮化镓层；其中，所述硅基板上设置有布线，所述金属触点通过所述布线与所述硅基板电气互联，所述金属基板设置在所述n型氮化镓层上；所述金属触点作为所述发光芯片的p电极，所述金属触点用于产生空穴，所述p型氮化镓层用于传输所述空穴；所述金属基板作为所述发光芯片的n电极，所述金属基板用于产生所述电子；所述n型氮化镓层用于传输所述电子；所述多量子阱层用于对所述电子和所述空穴进行复合，产生光子；当所述硅基板通电后，电流从所述金属触点流向所述金属基板，实现Micro‑LED阵列的发光。