[发明专利]氮化硅包覆碳纳米管的制备及应用有效

专利信息
申请号: 201910753109.5 申请日: 2019-08-15
公开(公告)号: CN110342494B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 王金娥;董明 申请(专利权)人: 苏州第一元素纳米技术有限公司
主分类号: C01B32/168 分类号: C01B32/168;C01B21/068;C04B35/584;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种氮化硅包覆碳纳米管的制备方法及应用,属于功能材料技术领域。该氮化硅包覆碳纳米管的制备方法,包括如下步骤:S1,将碳纳米管松装入并充满整个反应釜,之后抽真空至0.1~100Pa;然后向反应釜通入四氯化硅气体至反应釜中初始压力处于1~2atm范围内;再持续通入氨气,与四氯化硅气体于‑20~60℃下反应,四氯化硅气体与氨气反应生成的含氮硅烷化合物沉积在碳纳米管表面;S2,在氨气气氛下,将步骤S1中表面附着有含氮硅烷化合物的碳纳米管加热至500~600℃,热处理1~2h;S3,继续加热至650~1200℃,热处理2~8h,使含氮硅烷化合物分解为无定形氮化硅,均匀沉积在碳纳米管表面。本发明能够实现氮化硅包覆碳纳米管的工业化生产需求与应用。
搜索关键词: 氮化 硅包覆碳 纳米 制备 应用
【主权项】:
1.一种氮化硅包覆碳纳米管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,将碳纳米管松装入并充满整个反应釜,之后抽真空至0.1~100Pa;然后向反应釜通入四氯化硅气体至反应釜中初始压力处于1~2atm范围内;再持续通入氨气,使得四氯化硅气体与氨气于‑20~60℃下反应,在反应过程中保持反应釜内压力在小于初始压力0.5atm至初始压力这一范围内变化;四氯化硅气体与氨气反应生成的含氮硅烷化合物沉积在碳纳米管表面;S2,在氨气气氛下,将步骤S1中表面附着有含氮硅烷化合物的碳纳米管加热至500~600℃,热处理1~2h,以除去反应副产物氯化铵;S3,然后继续加热至650~1200℃,热处理2~8h,使含氮硅烷化合物分解为无定形氮化硅,均匀沉积在碳纳米管表面,制得氮化硅包覆碳纳米管。
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