[发明专利]一种晶圆级别单层MS2薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910753572.X | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110438471A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 贾志研;李瑛;苏陈良;王中长 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455;C30B28/14;C30B29/46 |
| 代理公司： | 广东品安律师事务所 44420 | 代理人： | 刘井 |
| 地址： | 518061 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级别单层MS2(M＝Mo、W)薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1清洗衬底，然后在800℃高温纯氧气氛中退火2h；S2通过第一通道将第一载气引导至衬底，通过第二通道将第二载气引导至衬底，所述第一通道放置有MO3前体，第二通道混有H2S气体；S3关闭第二载气中H2S气体，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 载气 制备 单层 种晶 薄膜 退火 纯氧气氛 前体 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级别单层MS2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1清洗衬底，然后在高温下退火；S2通过第一通道将第一载气引导至衬底，通过第二通道将第二载气引导至衬底，所述第一通道放置有MO3前体，所述第二通道混有H2S气体；S3关闭第二载气中H2S气体，完成制备；其中，MS2中M表示元素Mo、W。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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