[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。这样一种半导体器件的电源布线结构，其包括以倒装芯片方式安装在衬底上的半导体芯片，其降低了内部布线的特性阻抗且由此提高了噪声降低效果，同时实现了在高频电源操作期间的低阻抗。在从平面图观察时的半导体芯片的安装面上的多个周边电极焊盘的内侧区域中，在半导体芯片的保护膜上的第一绝缘膜上，半导体器件具有用于将电力提供至半导体芯片的内侧电源板结构。内侧电源板结构包括在第一绝缘膜上的第一电源板、在第一电源板上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二电源板。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n衬底，具备第一电源连接盘和第二电源连接盘；/n以倒装芯片方式安装在所述衬底上的半导体芯片；/n第一绝缘膜，配置在所述半导体芯片中的面对所述衬底的安装面；/n内侧电源板结构，经由所述第一绝缘膜与所述半导体芯片一体化地配置在所述半导体芯片和所述衬底之间，/n所述半导体芯片包括：/n位于所述安装面的周边部的包含第一周边电源焊盘及第二周边电源焊盘的多个周边电极焊盘和位于所述周边电极焊盘的内侧区域的第一内侧电源焊盘及第二内侧电源焊盘；以及/n在所述半导体芯片的所述安装面中除了所述周边电极焊盘、第一内侧电源焊盘及第二内侧电源焊盘的形成部之外的位置形成的保护膜；/n所述第一绝缘膜被形成在所述半导体芯片的所述保护膜上的从平面图来看在所述多个周边电极焊盘的内侧，并且在与所述第一内侧电源焊盘及所述第二内侧电源焊盘对应的位置具有开口，/n所述内侧电源板结构被形成在所述第一绝缘膜上，将电力提供至所述半导体芯片，/n所述内侧电源板结构包括：/n在所述第一绝缘膜上形成的第一电源板；/n在所述第一电源板上形成的第二绝缘膜；/n在所述第二绝缘膜上形成的第二电源板；以及/n在所述第二电源板上形成的衬底侧绝缘膜，/n所述第一电源板在周缘部具有第一周边电源端子，该第一周边电源端子经由凸块与所述半导体芯片的所述第一周边电极焊盘连接，并且经由贯通所述第一绝缘膜的所述开口的凸块来与所述半导体芯片的所述第一内侧电源焊盘连接，/n所述第一电源板及所述第二绝缘膜在与所述半导体芯片的所述第二内侧电源焊盘对应的位置分别具有开口；/n所述第二电源板在周缘部具有第二周边电源端子，该第二周边电源端子经由凸块与所述半导体芯片的所述第二周边电极焊盘连接，并且经由贯通在所述第一绝缘膜形成的所述开口和在所述第一电源板及所述第二绝缘膜形成的所述开口的凸块来与所述半导体芯片的所述第二内侧电源焊盘连接，/n所述衬底侧绝缘膜、所述第二电源板及所述第二绝缘膜在与所述衬底的所述第一电源连接盘对应的位置分别具有开口，所述第一电源板经由贯通该开口的凸块与所述衬底的所述第一电源连接盘连接，所述衬底侧绝缘膜在与所述衬底的所述第二电源连接盘对应的位置具有开口，所述第二电源板经由贯通该开口的凸块与所述衬底的所述第二电源连接盘连接。/n