[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板有效

专利信息
申请号: 201910755659.0 申请日: 2019-08-15
公开(公告)号: CN110534578B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 单福凯;王珍;刘国侠 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10;H01L27/12
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 马金华
地址: 266071 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板,所述制备方法包括步骤:提供一衬底;在所述衬底上制备介电层;在所述介电层上制备ZTO/SnO2双沟道层,其中,制备ZTO/SnO2双沟道层的具体包括:在所述介电层上制备SnO2薄膜;在所述SnO2薄膜上制备ZTO薄膜;在所述ZTO/SnO2双沟道层上制备源电极和漏电极。本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板,解决了传统金属氧化物薄膜晶体管制备成本昂贵,工艺复杂,难以工业化生产或者可靠性差的难题。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括步骤:/n提供一衬底;/n在所述衬底上制备介电层;/n在所述介电层上制备ZTO/SnO2双沟道层,其中,制备所述ZTO/SnO2双沟道层具体包括:/n在所述介电层上制备SnO2薄膜;/n在所述SnO2薄膜上制备ZTO薄膜;/n在所述ZTO/SnO2双沟道层上制备源电极和漏电极。/n
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