[发明专利]上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201910758601.1 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110459456B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 刘春明;李兴存 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备。该上电极结构，用于向刻蚀腔室内施加射频功率，其包括：线圈、电极及射频电源组件；所述线圈设置于所述刻蚀腔室内且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方；所述电极设置于所述刻蚀腔室内，且位于所述介质窗的上方，所述电极在所述介质窗上的投影位于所述线圈在所述介质窗上的投影的径向上的内侧和/或外侧；所述射频电源组件与所述线圈及所述电极电连接，用于向所述线圈和/或所述电极施加射频功率，以进行刻蚀或对所述刻蚀腔室进行清洗。本申请实施例使得线圈在清洗时可以作为电极的一部分，可以有效提高清洗效率，并且可以有效提高对刻蚀腔室及介质窗清洗的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 刻蚀 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种上电极结构，用于向刻蚀腔室内施加射频功率，其特征在于，包括：线圈、电极及射频电源组件；/n所述线圈设置于所述刻蚀腔室内，且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方；/n所述电极设置于所述刻蚀腔室内，且位于所述介质窗的上方，所述电极在所述介质窗上的投影位于所述线圈在所述介质窗上的投影的径向上的内侧和/或外侧；/n所述射频电源组件与所述线圈及所述电极电连接，用于向所述线圈和/或所述电极施加射频功率，以进行刻蚀或对所述刻蚀腔室进行清洗。/n
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