[发明专利]高通量气相沉积设备及气相沉积方法

摘要

本发明提供一种高通量气相沉积设备及气相沉积方法，高通量气相沉积设备包括：反应腔室；旋转工作台，位于反应腔室内；气体导入装置，位于所述反应腔室内，且位于旋转工作台的上方；气体导入装置将反应腔室分割为上部腔室及下部腔室；气体导入装置上设有若干个通孔；气体隔离结构，位于上部腔室内，且将上部腔室分割为相互隔离的隔离气体腔室及反应气体腔室；隔离气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与隔离气体腔室相连通；反应气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与反应气体腔室相连通。本发明的高通量气相沉积设备只需要使用一套隔离气体供给系统及一套反应气体隔离系统共两套气体供给系统，结构简单，容易实现，且隔离度好。

主权项

1.一种高通量气相沉积设备，其特征在于，所述高通量气相沉积设备包括：反应腔室；旋转工作台，位于所述反应腔室内，用于承载衬底，并带动所述衬底旋转；气体导入装置，位于所述反应腔室内，且位于所述旋转工作台的上方，与所述旋转工作台具有间距；所述气体导入装置将所述反应腔室分割为上部腔室及下部腔室；所述气体导入装置上设有若干个通孔，所述通孔将所述上部腔室与所述下部腔室相连通；气体隔离结构，位于所述上部腔室内，且将所述上部腔室分割为相互隔离的隔离气体腔室及反应气体腔室；所述气体导入装置的中心位于所述反应气体腔室的外侧；若干个所述通孔分别将所述隔离气体腔室及所述反应气体腔室与所述下部腔室相连通；隔离气体导入通道，位于所述反应腔室的腔壁上，且与所述隔离气体腔室相连通；反应气体导入通道，位于所述反应腔室的腔壁上，且与所述反应气体腔室相连通。