[发明专利]一种提高成品率的相变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201910759489.3 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110534643B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;周凌珺;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高成品率的相变存储器，其中，包括依次设置的：一衬底材料层；一第一电极；一粘附层；一绝缘介质材料层；一相变材料层；一第二电极；在底部电极上增加了粘附层，增强了绝缘介质材料层与底部电极的粘附性，保证了后续工艺沉积的薄膜牢固；而且，在完成绝缘介质材料层的刻蚀后，在刻蚀工艺中采用了过刻蚀工艺，过刻蚀粘附层形成接触孔，既保证了绝缘介质材料层刻蚀干净，又保证了后续沉积的相变材料层与底部电极接触良好，克服了异常短路或开路问题，提高了器件性能和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 成品率 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高成品率的相变存储器，其特征在于，包括依次设置的：/n一衬底材料层(100)；/n一第一电极(101)；/n一粘附层(103)；/n一绝缘介质材料层(104)；/n一相变材料层(105)；/n一第二电极(102)；/n在完成所述绝缘介质材料层(104)的刻蚀后，直接过刻蚀所述粘附层(103)形成接触孔(110)，所述相变材料层(105)部分位于所述绝缘介质材料层(104)和所述粘附层(103)的接触孔(110)中，并与所述第一电极(101)接触。/n
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