[发明专利]制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的方法和电路有效
| 申请号： | 201910759607.0 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110838315B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 应继锋;王仲盛;侯敦晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向。第一磁取向和第二磁取向不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 写入 mram 单元 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910759607.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
