[发明专利]栅极结构、栅极结构的制造方法和增强型半导体器件有效
| 申请号： | 201910760371.2 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110429132B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李成果;任远 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/28;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李梦宁 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种栅极结构、栅极结构的制造方法和增强型半导体器件，涉及半导体技术领域，该栅极结构包括：沟道层、设置在所述沟道层上的势垒层、设置在所述势垒层上的帽层以及设置在所述帽层上的栅电极层，其中，所述帽层具有与所述势垒层相反的晶体极化取向。利用与势垒层极性取向相反的帽层材料，使得势垒层和帽层的界面存在极强的负极化电荷，从而使得导带能级向上弯曲，将势垒层以及沟道层的导带能级抬高至高于费米能级，能够有效地耗尽势垒层与沟道层界面的二维电子气/二维空穴气，从而能够提高开启电压，同时，利用不同晶体极化取向的化学性质不同，可实现栅极图案的自终止湿法刻蚀，从而能够提高器件制作的均匀性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制造 方法 增强 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构，其特征包括：沟道层；设置在所述沟道层上的势垒层；设置在所述势垒层上的帽层以及设置在所述帽层上的栅电极层；其中，所述帽层具有与所述势垒层相反的晶体极化取向。
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