[发明专利]一种低密度变化相变材料和相变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201910760406.2 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110556475B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;周凌珺;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低密度变化相变材料，其为第一相变材料层和第二相变材料层循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层为C‑GeSb，所述第二相变材料层为GeTe，循环交替叠合层数至少有三层。相变材料C‑GeSb中碳掺杂的比例为可调整的，该材料具有非常低的相变密度变化，在适当的碳掺杂比例下几乎不发生密度变化，因此不会因为多次相变而出现孔洞，进而导致器件失效。非晶态GeTe层的晶化温度较高，因此适当厚度的GeTe层的加入可以在可控范围内提高相变材料的晶化温度，提高器件整体的稳定性，可同时满足存储器对高速擦写和电阻窗口的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密度 变化 相变 材料 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低密度变化相变材料，其特征在于：其为第一相变材料层(104)和第二相变材料层(105)循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层(106)，所述第一相变材料层(104)和所述第二相变材料层(105)之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层(104)为C-GeSb，所述第二相变材料层(105)为GeTe，循环交替叠合层数至少有三层，底层和顶层均选自所述第一相变材料层(104)、所述第二相变材料层(105)其中之一。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910760406.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
