[发明专利]一种具有P型横向变掺杂区的高压RESURF LDMOS器件在审
| 申请号： | 201910760854.2 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397567A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;张冰莹;陈亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有P型横向变掺杂区的高压RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱和P型横向变掺杂区，在P型横向变掺杂区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小，在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。该器件可以在维持器件导通电阻不变的情况下提高器件表面横向电场分布的均匀性，使之具有更高的横向击穿电压与更低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 横向 掺杂 高压 resurf ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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