[发明专利]一种错位子阵阵面设计方法在审

专利信息
申请号: 201910763033.4 申请日: 2019-08-19
公开(公告)号: CN110705175A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 徐振海;杨功清;董玮 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06F30/27 分类号: G06F30/27;G06N3/12
代理公司: 11232 北京慧泉知识产权代理有限公司 代理人: 李娜
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种错位子阵阵面设计方法,步骤如下:步骤一:确定目标函数;步骤二:通过子阵不重叠的条件确定约束条件;步骤三:确定优化角度,利用遗传算法求解优化问题,并对输出的解进行检验。本发明方法创造性的提出了在最大栅瓣增益对应的最大扫描角度处优化阵面的思路,有效解决了非全向阵元错位子阵电扫参数的优化问题。通过将不重叠的约束条件分为水平垂直相邻不重叠及斜对角相邻不重叠,从而将其分为线性约束及非线性约束,利于后续的迭代求解。本发明可以根据不同的要求对不同子阵样式及阵面布局进行优化。
搜索关键词: 不重叠 子阵 优化问题 约束条件 求解 错位 优化 非线性约束 目标函数 水平垂直 条件确定 线性约束 遗传算法 有效解决 斜对角 迭代 全向 栅瓣 阵面 阵元 扫描 样式 输出 检验
【主权项】:
1.一种错位子阵阵面设计方法,其特征在于:该方法包括:/n步骤一:确定目标函数/n目标函数由以下公式决定:/n
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