[发明专利]一种铁电场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910764404.0 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110459611B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;郇延伟 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底层、栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层、栅电极层、源电极及漏电极；衬底层设置有源极区、漏极区和绝缘覆盖区，其中源极区与漏极区间隔设置；源极区上设置有源电极，漏极区上设置有漏电极，且绝缘覆盖区由下至上依次层叠设置栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层及栅电极层。该晶体管通过增加第一缓冲层和第二缓冲层，一方面缓冲层的沉积可起到界面诱导作用，并且由于晶格匹配度相当，可避免引起较大的晶格畸变；另一方面在第一缓冲层和第二缓冲层的加持作用，有利于生成元素掺杂的铁电薄膜并对铁电薄膜的铁电性起到促进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底层、栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层、栅电极层、源电极及漏电极；/n所述衬底层设置有源极区、漏极区和绝缘覆盖区，其中所述源极区与所述漏极区间隔设置；所述源极区上设置有源电极，所述漏极区上设置有漏电极，且所述绝缘覆盖区由下至上依次层叠设置所述栅绝缘层、所述第一缓冲层、所述中间介质层、所述第二缓冲层及所述栅电极层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910764404.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
