[发明专利]一种选通管器件、存储器单元及制备方法有效
| 申请号： | 201910765152.3 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110571330B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;林琪;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 雷霄 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种选通管器件、存储器器件及制备方法。所述选通管器件包括第一电极层、开关层和第二电极层；其中，所述开关层的第一接触面与所述第一电极层接触且所述开关层的第二接触面与所述第二电极层接触；所述开关层为导电丝易生长层A和导电丝难生长层B交替堆叠形成的多层堆叠结构，所述导电丝易生长层A为硫系材料或低氧含量氧化物或掺杂有活性金属的硫系材料或含有活性金属的氧化物中的一种，所述导电丝难生长层B为去除缺陷的硫系材料或高氧含量氧化物或氮化物中的一种。该选通管器件能够具有较低的漏电流的同时提供较大的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选通管 器件 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种选通管器件单元，其特征在于，包括第一电极层、开关层和第二电极层；/n其中，所述开关层的第一接触面与所述第一电极层接触且所述开关层的第二接触面与所述第二电极层接触；/n所述开关层为导电丝易生长层A和导电丝难生长层B交替堆叠形成的多层堆叠结构，所述导电丝易生长层A为硫系材料或低氧含量氧化物或掺杂有活性金属的硫系材料或含有活性金属的氧化物中的一种或多种，所述导电丝难生长层B为去除缺陷的硫系材料或高氧含量氧化物或氮化物中的一种或多种。/n
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