[发明专利]采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法在审
| 申请号： | 201910765366.0 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110391302A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及属于半导体器件的制造技术领域，具体是一种采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法，所述采用屏蔽栅超结的MOSFET包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底层和外延层，所述外延层设于所述第一导电类型衬底层上，所述外延层上开设有X向并排的第一沟槽，所述第一沟槽沿Y向延伸，所述第一沟槽分为上部和下部，所述第一沟槽下部为屏蔽栅区，上部为栅极区，所述屏蔽栅区和栅极区之间通过氧化层隔开；所述屏蔽栅区包括屏蔽栅和位于所述屏蔽栅两侧和底面的屏蔽栅氧化层，所述栅极区包括栅极多晶硅和位于所述栅极多晶硅两侧的栅氧化层。所述器件成为一个三维电荷平衡器件，能够在提高耐压降低电阻的同时，调节器件动态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽栅 外延层 栅极区 第一导电类型 半导体基板 超结MOSFET 栅极多晶硅 衬底层 屏蔽栅氧化层 三维电荷平衡 半导体器件 调节器件 动态特性 栅氧化层 氧化层 超结 电阻 隔开 耐压 制作 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种采用屏蔽栅超结的MOSFET，其特征在于，所述采用屏蔽栅超结的MOSFET包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底层（1）和外延层（2），所述外延层（2）设于所述第一导电类型衬底层（1）上，所述外延层（2）的上表面为半导体基板的第一表面，外延层（2）的下表面为半导体基板的第二表面；所述外延层（2）上开设有X向并排的第一沟槽（3），所述第一沟槽（3）沿Y向延伸，所述第一沟槽（3）分为上部和下部，所述第一沟槽（3）下部为屏蔽栅区（4），上部为栅极区（5），所述屏蔽栅区（4）和栅极区（5）之间通过氧化层隔开；所述屏蔽栅区（4）包括屏蔽栅（410）和位于所述屏蔽栅（410）两侧和底面的屏蔽栅氧化层（420），所述栅极区（5）包括栅极多晶硅（510）和位于所述栅极多晶硅（510）两侧的栅氧化层（520）；所述第一沟槽（3）之间的外延层（2）中设有第二导电类型体区（6），所述第二导电类型体区（6）上设有第一导电类型源极区（7），所述半导体基板的第一主面上设有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）中设有源极接触孔（9），所述源极接触孔（9）中填充有金属，所述绝缘介质层（8）上设有源极金属层（10），所述源极金属层（10）通过所述源极接触孔（9）中的金属与第二导电类型体区（6）连接，且与第一导电类型源极区（7）欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡橙芯微电子科技有限公司，未经无锡橙芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910765366.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全透明低回滞薄膜晶体管及其制备方法
- 下一篇：光电探测器结构
- 同类专利
- 专利分类
