[发明专利]一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910765723.3 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110565052B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈飞;苏伟涛 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 硫化 垂直 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1：以Si/SiO
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