[发明专利]一种蓝宝石衬底的表面处理方法及其使用的坩埚有效
| 申请号： | 201910766027.4 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110491774B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 冯博渊;丁孙安;李坊森;冯加贵;何高航;程飞宇;武彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蓝宝石衬底的表面处理方法及其使用的坩埚，所述方法将蓝宝石衬底置于坩埚上，之后进行退火处理，得到表面为原子级台阶的蓝宝石衬底，本发明所述方法控制所述蓝宝石衬底与坩埚的接触面积≤蓝宝石衬底的单侧表面面积的2％，使得退火处理的过程中热量和气流在蓝宝石衬底表面的分布更加均匀，从而获得表面原子级台阶的蓝宝石衬底，且本发明所述方法的重复性高，同时，本发明还提供了一种用于蓝宝石衬底表面处理的坩埚，所述坩埚包括一端为开口端的柱形壳体，所述开口端用于放置蓝宝石衬底，使得蓝宝石衬底的表面处理过程处理效果及效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 表面 处理 方法 及其 使用 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种蓝宝石衬底的表面处理方法，其特征在于，所述方法包括将蓝宝石衬底置于坩埚上，之后退火处理，得到表面为原子级台阶的蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底与坩埚的接触面积≤蓝宝石衬底的单侧表面面积的2％。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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