[发明专利]阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201910767787.7 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110610961B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周阳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板和显示面板。种阵列基板定义有弯折区和非弯折区。所述非弯折区包括层叠设置的柔性衬底层、复合缓冲层、源漏极层、平坦层和像素定义层；所述弯折区包括层叠设置的柔性衬底层、源漏极层、平坦层和像素定义层，或者位于所述弯折区的所述复合缓冲层的厚度小于位于所述非弯折区的所述复合缓冲层的厚度。显示面板包括上述阵列基板。本发明通过减少金属走线与基板之间的距离，使所述源漏极层接近甚至达到应力平衡线，从而让金属走线减少受到的应力，甚至基本不受自身应力。金属走线不受应力，则其断裂风险降低，屏幕的耐弯折能力上升。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，定义有弯折区和非弯折区，所述非弯折区包括/n柔性衬底层；/n复合缓冲层，位于所述柔性衬底层上；/n源漏极层，位于所述复合缓冲层上；/n平坦层，位于所述源漏极层上；以及/n像素定义层，位于所述平坦层上；/n其特征在于，所述弯折区包括/n所述柔性衬底层；/n所述源漏极层，位于所述柔性衬底层上；/n所述平坦层，位于所述源漏极层上；以及/n所述像素定义层，位于所述平坦层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
