[发明专利]一种柔性Ag/MoS2

摘要

本发明的目的在于提供了一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，该存储器包括从下往上依次设置的基片、牺牲层、底电极、阻变层和顶电极；基片为玻璃片，牺牲层为可溶性淀粉，阻变层为水热法制备的MoS2纳米球，顶底电极分别为金属银和铜。本发明的制备方法通过在玻璃片与底电极之间旋涂一层可溶性淀粉薄膜，最后将淀粉薄膜在去离子水中溶解，使Ag/MoS2/Cu阻变存储器和玻璃片分离，可将器件转移到任意衬底上。本发明所选用的牺牲层材料成本低、无毒性，转移过程简单，转移后的器件表现出了非易失性双极阻变存储特性，转移过程对器件的阻变特性没有影响，为MoS2在柔性新型二维材料阻变存储器的制备提供了可能性。

主权项

1.一种柔性Ag/MoS₂/Cu阻变式存储器的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：步骤1）、配制浓度为0.015~0.05 g/ml的淀粉溶液；步骤2）、将清洗过的玻璃片放在匀胶机中样品托的中心位置，把配制好的淀粉溶液滴涂在玻璃片上，设置匀胶机的转速和时间，启动匀胶机；步骤3）、重复步骤2)四次；步骤4）、采用真空蒸发镀膜在淀粉薄膜的玻璃片上蒸镀厚度为50~500nm的金属衬底薄膜；步骤5）、将采用水热法制备出的MoS₂在异丙醇中球磨处理2~6h，制备MoS₂悬浮液；步骤6）、在底电极上采用旋涂法制备一层MoS₂薄膜；步骤7）、采用真空蒸发镀膜在MoS₂薄膜上蒸镀直径250μm、厚度为50~500nm的顶电极；步骤8）、将制备好的器件放入去离子水中，水溶性淀粉牺牲层溶解，Ag/MoS₂/Cu阻变存储器与玻璃片完全分离后将器件转移到不同衬底上，采用吉时利(keithely)4200‑SCS半导体特性分析仪进行阻变特性测试。