[发明专利]存储器单元阵列、存储器电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201910768194.2 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110853688B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;吴旻信;杨耀仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 存储器电路阵列包括第一读取器件和第一编程器件。第一读取器件耦合至第一位线。第一读取器件包括耦合至第一字线的第一晶体管，以及耦合至第一字线的第二晶体管。第一编程器件耦合至第一读取器件。第一编程器件包括耦合至第二字线的第三晶体管，以及耦合至第二字线的第四晶体管。本发明的实施例涉及存储器单元阵列、存储器电路及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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