[发明专利]一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法

摘要

本发明公开了一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法，其特征在于，所述封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法包括以下步骤：步骤一：计算屏蔽体在某一低频点f0的磁场屏蔽效能SH(f0)＝屏蔽前磁场/屏蔽后磁场；步骤二：计算形状因子其中，c为屏蔽体形状因子，Δ为屏蔽体金属材料的厚度，μ为磁导率，ω＝2πf0；步骤三：根据步骤二的形状因子反推出整个频段的屏蔽效能表达式为：SH＝|cosh(γΔ)+cγsinh(γΔ)|；步骤四：根据关系式SE＝20log10(SH)计算对数形式下的屏蔽效能，绘制屏蔽效能曲线。

主权项

1.一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法，其特征在于，所述封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法包括以下步骤：/n步骤一：计算屏蔽体在某一低频点f₀的磁场屏蔽效能SH(f₀)＝屏蔽前磁场/屏蔽后磁场；/n步骤二：计算形状因子其中，c为屏蔽体的形状因子，Δ为屏蔽体金属材料的厚度，μ为磁导率，ω＝2πf₀；/n步骤三：根据步骤二的形状因子反推出整个频段的屏蔽效能表达式为：/nSH＝|cosh(γΔ)+cγsinh(γΔ)|；/n步骤四：根据关系式SE＝20log10(SH)计算对数形式下的屏蔽效能，绘制屏蔽效能曲线。/n