[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法有效

申请号：	201910768482.8	申请日：	2014-12-05
公开（公告）号：	CN110600379B	公开（公告）日：	2022-11-29
发明（设计）人：	张钰声;李忠儒;包天一	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/8234;H01L29/78
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
搜索关键词：	具有矩形轮廓间隔及其制造方法
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【主权项】：

1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，所述图案化部件在基础层的上面；/n形成接触所述间隔件层的顶面和侧壁表面的保护层；/n移除所述保护层的水平部分，其中，在所述移除之后保留所述保护层的垂直部分；/n蚀刻所述间隔件层以移除所述间隔件层的水平部分，其中，所述间隔件层的垂直部分保留并与所述保护层的垂直部分共同形成间隔件；/n在蚀刻所述间隔件层之后，移除所述图案化部件；以及/n蚀刻所述基础层以在所述基础层中形成沟道，其中，所述间隔件被用作蚀刻掩模。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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