[发明专利]制造半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201910768636.3 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110858588A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 郭大鹏;田丽钧;陈建盈;鲁立忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/782;G06F30/392 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：产生一或多个第一导电图案，表示在第一敷金属层中的对应导电材料，第一导电图案的长轴大致上在第一方向上延伸；产生第一深介层图案，表示在第二介层、第一敷金属层及第一介层中的每一者对应的导电材料；相对于第一方向及大致上垂直于第一方向的第二方向，对准第一深介层图案以重叠对应部件图案，表示在晶体管层中对应的晶体管的端子的电气路径中包括的导电材料；以及构造第一深介层图案在第一方向上的大小大致上小于导电图案在第一敷金属层中的导电图案的容许最小长度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
