[发明专利]一种铸锭用籽晶、晶体硅的铸锭方法和晶体硅在审
| 申请号： | 201910768884.8 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110359090A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 闫灯周;刘俊辉;郭志球 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种晶体硅的铸锭方法，包括：将籽晶铺设于坩埚底部；其中，籽晶包括硅颗粒料和硅粉；硅颗粒料与硅粉的质量比为1.5～5，包括端点值；硅颗粒料的粒径为100～300μm，包括端点值；硅粉的粒径为10～50μm，包括端点值；在籽晶上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度以便硅料在籽晶基础上长晶；当硅料全部结晶完成后，退火冷却得到晶体硅。可见，应用本申请提供的籽晶在提高了形核点密度的同时，籽晶熔化时，硅颗粒料和硅粉大小相差较大，因此存在一定的间隙，使渗硅现象较容易产生，提高了引晶质量，因此，减小硅锭底部晶粒的尺寸并保证晶粒的大小均匀性。本申请同时还提供了一种铸锭用籽晶和晶体硅，均具有上述有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 晶体硅 硅颗粒 硅粉 铸锭 硅料 晶粒 粒径 坩埚 申请 熔化 退火 大小均匀性 熔融状态 形核点 质量比 硅锭 减小 渗硅 引晶 冷却 铺设 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种铸锭用籽晶，其特征在于，包括：硅颗粒料和硅粉；所述硅颗粒料与所述硅粉的质量比为1.5～5，包括端点值；所述硅颗粒料的粒径为100～300μm，包括端点值；所述硅粉的粒径为10～50μm，包括端点值。
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